檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "記憶".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="電阻式記憶體"
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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深度學習為機器學習的分支，隨著科技的日新月異，深度學習已成為人工智慧中成長最快速的技術，其主要功能是讓機器模擬人類神經網路的運作方式，而深度神經網路又為深度學習最常使用的架構，已經被廣泛應用在許多領…
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近年來，深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 被廣泛的應用在許多領域之中，例如自動駕駛、影像辨識以及生物醫學電子設備等，皆可達到一定的正確率 (Accuracy)，而使…
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本研究的主要目的在於透過分析台積公司（台灣積體電路製造股份有限公司）的電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術之美國專利文件，以進行台積公司的電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究。 首先，本研究分…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜，Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%，經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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科技的進步帶動了製程技術的演進，使得行動裝置與高密度的記憶體得以快速發展，因此人們對於非揮發型記憶體的需求也隨之成長，而在眾多的非揮發型記憶體當中，電阻式記憶體具有較快的操作速度、較低的功耗…
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近年來由於製程技術的進步，行動裝置與物聯網得以迅速發展，對於非揮發性記憶體的需求也隨之上升，現今電阻式記憶體相較快閃式記憶體，擁有更低的功耗、更快的存取操作與更小的晶片面積，且其特殊的物理結構…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…